国家/地区 中国（526） 世界知识产权组织（24） 美国（10） 韩国（5） 欧洲专利局（EPO）（4） 澳大利亚（3） 日本（3） 加拿大（2）
IPC部 H（532） C（124） B（83）
G（13） D（4）
IPC大类 H01（532）
IPC小类 H01M（252） H01L（124） C01B（69）
H01G（69） B82Y（53） H01B（47）
H01Q（20） C08K（16） C08L（16）
H01R（16） C01G（12） C23C（11）
B32B（10） H01S（10） B01J（9）
IPC H01M004/62（104） H01M010/0525（90） H01M004/36（89）
B82Y030/00（46） H01G011/86（45） H01M004/58（40）
H01M004/38（36） H01M010/052（31） B82Y040/00（30）
H01G011/36（30） H01G011/30（29） H01G011/32（28）
H01M004/583（27） H01M010/054（23） C01B032/184（22）
发明人 ZHANG J（532）
公开年 2022（107） 2021（88） 2018（65） 2017（48） 2020（47） 2016（42） 2023（42） 2013（22） 2014（22） 2019（21） 2015（17） 2012（5） 2010（3） 2011（2）
申请年 2020（92）  2022（87）  2021（75）  2017（58）  2016（51）  2019（38）  2018（33）  2015（32）  2014（17）  2012（14）  2013（14）  2023（10）  2011（5）  2010（4） 
专利权人 UNIV XIDIAN（44） HEDE HUAXIA .（13） UNIV CENT SO.（13） UNIV SHANGHA.（13）
UNIV ZHENGZH.（13） UNIV SHANGHA.（12） CHINA PETROL.（9） SINOPEC RES .（9）
UNIV CHINA E.（9） SHANDONG GOL.（8） ZHANG J（8） SHANDONG SHE.（7）
SHENZHEN TIG.（7） UNIV ANYANG .（7） BEIJING HUAJ.（6） TCL TECHNOLO.（6）
UNIV NAT DEF.（6） ZHUHAI COSMX.（6） CHANGSHU INS.（5） HARBIN INST .（5）

Graphene copper transmission line pay-off grounding pulley for use in tension stringing construction, has conductive wheel group whose end is connected to grounding wire, where grounding wire includes external insulating wire sheath and composite wire core placed in insulating wire sheath.

WANG Z, LI Y, GAO Z, YAN F, LI J, YANG M, GAO J, ZHANG J, WANG C, ZENG D, CHU L, XIANG Y, TAN H, XU L, TANG N, YAN Z, LI H, FENG F, YANG Y, XIE L, ZENG L, ZHAO H

Processing of photoelectric device e.g. quantum dot LED, involves providing film layer of photoelectric device, and processing surface of film layer with liquid carbon dioxide and/or solid carbon dioxide.

AO Z, ZHANG J, YAN Y, HONG J, YANG F, MO X

High-throughput laser synthesis method of graphene loaded nanoparticles useful as anode material of the lithium carbon dioxide battery by carrying out in-situ conversion polyimide polymer film or polyethyleneimine polymer film by laser, dropping metal precursor salt solution to substrate and drying.

WANG J, ZHANG J, XIE K, GUO C, HAN X

Processing of thin film used for manufacturing LED, involves providing electron transport film layer using metal oxide as electron transport material, and annealing electron transport film layer with pulsed light in protective gas environment.

MO X, ZHANG J, YAN Y, AO Z, YANG F, MA S

Organic light emitting transistor for light-emitting panel, has main drain electrode that is provided on side of light-emitting functional layer away from substrate, where surface of main source electrode away from substrate has main grating structure.

ZHANG J, SUN M, JIAO Z

Preparing tin-based cathode material for lithium-ion based battery with double confinement effect, comprises adding Triton X-100 into sulfur-nitrogen co-doped graphene solution, performing chemical tinning in tin plating solution, filtering, drying, dissolving in water, evaporating and calcining.

ZHANG J, ZHANG Z, OUYANG L, WANG X, LI Y, YANG G

New anode material useful in pole piece and sodium ion battery, comprises sodium, vanadium and phosphorus.

SI Y, JIANG Q, ZHANG J, DONG Y, WANG D

Preparing metal lithium cathode for battery, comprises mixing solvent A, polymer A, polymer B, Lithium salt A to obtain film-forming solution A and applying on surface of metal lithium cathode by spin coating, spin coating lithium-philic solution A on surface of metal lithium cathode, reacting.

ZHANG J, YANG M, ZHAO Y, YANG Y, LANG W, DING H

Preparation of magnesium-doped silicon oxide composite negative electrode material involves sintering silicon oxide fine powder and metal magnesium powder, dispersing in prepared silica sol composite material, sintering, and etching.

ZHANG J, MA T, JIANG Q

Preparation of silicon-carbon negative electrode material for battery, involves forming asphalt solid electrolyte interface film on surface of composite material of graphene, silicon powder and stabilizer, carbonizing, and adding graphite.

HUANG J, JIE S, WANG Y, WEI M, WEN Z, ZHANG S, ZHANG J, DAI B